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Mémoire ligne à retard magnétostrictive

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Ligne_A_Retard_magnetostrictive_10Kbits_boitier.JPG

Fonction réalisée : Mémoire vive circulante à accès aléatoire (RAM) utilisée dans la commande des premiers centraux téléphoniques autocommutateur électroniques ( E10A) conçus et fabriqués par Alcatel.
La fonction mémoire morte (ROM) était assurée par les cartes à diodes que l’on trouve dans cette catégorie.
Performances : Capacité 10 kbits environ ; temps d’accès maximum = 8ms.
Fabricant : Thomson-CSF en 1973.
Principe : C’est une mémoire circulante où l’information tourne en permanence et où l’adresse correspond à un instant référencé par une synchronisation.
Le support de l’information est une vibration ultrasonique d’un fil d’acier inoxydable magnétostrictif à base de nickel du type corde à piano. Un matériau magnétostrictif est un matériau magnétique qui a la propriété de se dilater ou de se comprimer en fonction du sens du champ magnétique appliqué. Un transducteur créant un champ magnétique à une extrémité convertit des signaux électriques en vibrations ultrasoniques qui se propagent sur quelques dizaines de mètres jusqu’à l’autre extrémité où un autre transducteur capte les vibrations et restaure les signaux électriques. Ces signaux électriques sont ré-amplifies et réintroduits dans le transducteur au début de la ligne et ainsi de suite. Il n’y a pas d’adressage physique possible car l’information n’est pas figée à un endroit donné comme dans une mémoire statique à tores ou à diodes. Il faut donc repérer le passage de l’information souhaitée au bon moment en se référant à une synchronisation et en faisant en sorte que la durée du retard soit toujours la même. C’est là que le bat blesse car cette durée dépend forcement de paramètres physiques comme la température, le vieillissement etc.
Il fallait donc installer ces mémoires dans des salles climatisées au degré près et ne pas ouvrir de fenêtre inopinément !!!
Les autres difficultés d’utilisation sont d’ordre mécanique car il faut suspendre la ligne à retard sur des dizaines de mètres sans en amortir les vibrations d’où ces supports élastiques de couleur rouge.
Ces mémoires de faible capacité et d’utilisation contraignante ont disparu lors de l’industrialisation réussie des mémoires à semi-conducteurs à la fin des années 1970.
Pour en savoir plus : http://en.wikipedia.org/wiki/Delay_line_memory

Mémoires apparentées : Lignes à retard ultrasoniques à mercure (informatique des années 1950) et piézo-électrique à quartz ou en céramique. L’exemple type de la ligne à retard piézo-électrique qui a été produite à des dizaines de millions d’exemplaires est la ligne mémoire 64us utilisée en télévision norme SECAM pour le décodage des signaux de couleur. Cette ligne à retard était même le cœur du système puisque le sigle SECAM signifie SEquentiel A Mémoire.
Voir dans la galerie catégorie composants passifs des exemples de mémoire 64us pour télévision SECAM.
On y trouvera un exemple de mémoire à quartz très encombrante et très chère et une plus récente, moins encombrante et plus économique à base de céramique piézoélectrique
Autre mémoire apparentée : Ligne à ressort utilisée dans des orchestres de jazz pour obtenir des réverbérations artificielles.
http://www.sonelec-musique.com/electronique_theorie_reverb_ressort.html

Auteur Ph Maliet
Créée le non disponible
Ajoutée le Mercredi 25 Juillet 2007
Dimensions 1066*1024
Fichier Ligne_A_Retard_magnetostrictive_10Kbits_boitier.JPG
Poids 297 Ko
Tags amplificateur, commutation, Inductance, lecture, magnétique, mémoire, tores, écriture, électronique
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