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Mémoire à tores magnétiques

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Mémoire à tores magnétiques
C'est la technologie industrielle de mémoire vive qui a précédé la technologie actuelle à base de semi-conducteurs.
Durée de cette technologie : de 1955 à 1975. Pas de descendance.
Inventeur principal : Dr Wang.
Principe : tore en ferrite aimantable : La mémoire est l'état de magnétisation rémanente.
Le magnétisme rémanent dans ces tores est bistable : si un courant d'écriture minimum passe dans le fil d'écriture, l'induction produite est mémorisée. Elle est maintenue une fois que le courant disparait. La courbe d'hystéresis magnétique de ces tores doit être de forme carrée.
La contrainte est que le seuil de mémorisation est variable avec la température d'où une nécessité de contrôler la température ; mais de façon moins contraignante que pour les mémoires à circulation magnétostrictives.
L'énorme intérêt de cette mémoire est que cette mémoire est facilement inscriptible, effaçable : Mémoire RAM, et qu'elle est conserve les informations sans alimentation électrique : Mémoire ROM.
Les mémoires à semi-conducteurs qui ont cette propriété sont les mémoires NAND ou EEPROM utilisées dans les cartes mémoires des appareils photo-numériques, des clefs USB, ou comme mémoire de masse dans les PC Portables : émulation de Disques durs.
Par ailleurs cette mémoire résiste bien aux rayonnements ionisants : elle a été beaucoup utilisée en spatial jusqu'après les années 2000 sur la navette spatiale...

Ecriture : Passage d'un courant d'écriture dans 2 fils : fil X et fil Y permettant d'adresser un tore précis aux coordonnées X et Y. Chaque fil porte la moitié du courant de magnétisation d'écriture. Le sens du courant d'écriture définit le sens de magnétisation et le bit 1 ou 0.
Lecture : Passage d'un courant de lecture dans 2 fils : fil X et fil Y permettant d'adresser un tore précis aux coordonnées X et Y. Chaque fil porte la moitié du courant de magnétisation de lecture.
Le réglage précis des courants , la bistabilité de la magnétisation, et la maitrise des températures permet de n'adresser qu'un seul tore de ferrite à la fois.
Suivant le sens de magnétisation mémorisé :
-soit la magnétisation de lecture est dans le même sens que celle d'écriture auquel cas la magnétisation du tore déjà magnétisé ne sera pas modifiée. Le fil de mesure (Sense) ne captera aucune variation de champ magnétique : Lecture 0.
-soit la magnétisation de lecture est dans le sens inverse de celle d'écriture auquel cas il y aura démagnétisation du tore déjà magnétisé et remagnétisation en sens inverse. Le fil de mesure (Sense) après un délai de l'ordre de la us captera une variation de champ magnétique : Lecture 1.
La lecture est destructive ; il faut récrire la donnée après sa lecture.
Cette technologie de mémoire tient de l'enfilage de perles et ses dimensions n'ont jamais pu être réduites comme pour les autres technologies informatiques d'où un coût de fabrication important et une faible densité d'informations.

Auteur Ph. Maliet
Créée le Samedi 04 Août 2007
Ajoutée le Samedi 04 Août 2007
Dimensions 1024*746
Fichier memoire_tores_echelle_moyenne.jpg
Poids 630 Ko
Tags lecture, magnétique, écriture
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